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Chip CI de la memoria

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Chip CI de la memoria

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China FLASH obsoleto del chip CI de la memoria de la situación de la parte gama ancha W25Q16BVSSIG - NI de los temporeros de la memoria fábrica

FLASH obsoleto del chip CI de la memoria de la situación de la parte gama ancha W25Q16BVSSIG - NI de los temporeros de la memoria

FLASH del chip CI de la memoria de W25Q16BVSSIG - NI memoria IC 16Mb (los 2M x 8) SPI 104MHz 8-SOIC Categorías Circuitos integrados (ICs) Memoria Fabricante Electrónica de Winbond Serie SpiFlash® Empaquetado ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China interfaz de la memoria paralela del microprocesador de memoria Flash del tamaño 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKE fábrica

interfaz de la memoria paralela del microprocesador de memoria Flash del tamaño 64Mb SST39VF6401B-70-4I-EKE

Paralelo 70ns 48-TSOP de IC 64Mb (los 4M x 16) de memoria Flash del chip CI de la memoria de SST39VF6401B-70-4I-EKE CARACTERÍSTICAS: Flash multiusos de 64 Mbit (x16) más SST39VF6401B/SST39VF6402B • Organizado ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China el chip CI 3ms de la memoria de la frecuencia de reloj 133MHz escribe la duración de ciclo W25Q16JVSSIQ fábrica

el chip CI 3ms de la memoria de la frecuencia de reloj 133MHz escribe la duración de ciclo W25Q16JVSSIQ

FLASH del chip CI de la memoria de W25Q16JVSSIQ - NI memoria IC 16Mb (los 2M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC 1. DESCRIPCIÓN GENERAL Memorias Flash seriales W25Q80 (8M-bit), W25Q16 (16M-bit), y W25Q32 (32M-bit) proveen ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Microprocesadores de la placa de circuito de IC de la memoria del alto rendimiento, componente eléctrico W25Q64JVSSIQ de IC fábrica

Microprocesadores de la placa de circuito de IC de la memoria del alto rendimiento, componente eléctrico W25Q64JVSSIQ de IC

FLASH del chip CI de la memoria de W25Q64JVSSIQ - NI memoria IC 64Mb (los 8M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC 1. DESCRIPCIÓN GENERALMemoria Flash serial de W25Q64BV (64M-bit) provee de una solución del almacenamiento ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Tipo situación activa de la memoria no volátil del chip CI de la memoria 24LC04B-I/SN de la parte fábrica

Tipo situación activa de la memoria no volátil del chip CI de la memoria 24LC04B-I/SN de la parte

Memoria del chip CI EEPROM de la memoria 24LC04B-I/SN IC 4Kb (256 x 8 x 2) ² C 400kHz 900ns 8-SOIC de I Tabla de la selección del dispositivo Nota 1: 100 kilociclos para VCC Características: • Escoja la fuente ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China protección de escritura 24LC16B-I/SN del hardware de la tecnología de la tarjeta de memoria de 400kHz 900ns IC EEPROM fábrica

protección de escritura 24LC16B-I/SN del hardware de la tecnología de la tarjeta de memoria de 400kHz 900ns IC EEPROM

Memoria IC 16Kb (² C 400kHz 900ns 8-SOIC del chip CI EEPROM de la memoria 24LC16B-I/SN de 2K x 8) I Tabla de la selección del dispositivo Número de parte VCC Gama Frecuencia de reloj máxima Temporeros. Gamas ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China tecnología 24LC64-I/P de la energía baja Cmos del tiempo de acceso del chip CI 900ns de la memoria 8-PDIP fábrica

tecnología 24LC64-I/P de la energía baja Cmos del tiempo de acceso del chip CI 900ns de la memoria 8-PDIP

Memoria IC 64Kb (² C 400kHz 900ns 8-PDIP del chip CI EEPROM de la memoria 24LC64-I/P de 8K x 8) I Tabla de la selección del dispositivo Número de parte VCC Gama Frecuencia de reloj máxima Gamas de los ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China SRAM - Equipo asincrónico del circuito integrado, tablero IS61LV25616AL-10TL del circuito integrado de la memoria fábrica

SRAM - Equipo asincrónico del circuito integrado, tablero IS61LV25616AL-10TL del circuito integrado de la memoria

Chip CI SRAM de la memoria de IS61LV25616AL-10TL - paralelo asincrónico 10ns 44-TSOP II de IC 4Mb (256K x 16) de la memoria 256K x 16 Cmos ASINCRÓNICO DE ALTA VELOCIDAD RAM ESTÁTICO CON LA FUENTE 3.3V EN ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China poder espera bajo 7mW Cmos IS61WV25616BLL-10TLI espera del chip CI de la memoria paralela 4Mb fábrica

poder espera bajo 7mW Cmos IS61WV25616BLL-10TLI espera del chip CI de la memoria paralela 4Mb

Chip CI SRAM de la memoria de IS61WV25616BLL-10TLI - paralelo asincrónico 10ns 44-TSOP II de IC 4Mb (256K x 16) de la memoria CARACTERÍSTICAS VELOCIDAD: (IS61/64WV25616ALL/BLL) • Tiempo de acceso de alta ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Circuitos integrados de la electrónica de la memoria, chips CI comunes IS61WV51216BLL-10TLI fábrica

Circuitos integrados de la electrónica de la memoria, chips CI comunes IS61WV51216BLL-10TLI

Chip CI SRAM de la memoria de IS61WV51216BLL-10TLI - paralelo asincrónico 10ns 44-TSOP II de IC 8Mb (512K x 16) de la memoria 512K x 16 ASINCRÓNICOS DE ALTA VELOCIDAD Cmos RAM ESTÁTICO CON 3.3V la FUENTE ... Read More
2018-06-08 11:03:37
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