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Chip CI del transistor

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Chip CI del transistor

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China Dren activo del chip CI del transistor de la situación de la parte al voltaje 200V IRF640N de la fuente fábrica

Dren activo del chip CI del transistor de la situación de la parte al voltaje 200V IRF640N de la fuente

Canal N 200V 18A (Tc) 150W (Tc) del chip CI del transistor de IRF640N a través del agujero TO-220AB Situación de la parte Activo Tipo del FET Canal N Tecnología MOSFET (óxido de metal) Drene al voltaje de la ... Read More
2018-06-08 11:03:36
China Corriente de los componentes 100A del transistor de CSD19506KCS - dren continuo TO-220-3 fábrica

Corriente de los componentes 100A del transistor de CSD19506KCS - dren continuo TO-220-3

Canal N 80V 100A (TA) 375W (Tc) del chip CI del circuito integrado de CSD19506KCS a través del agujero TO-220-3 Situación de la parte Activo Tipo del FET Canal N Tecnología MOSFET (óxido de metal) Drene al ... Read More
2018-06-08 11:03:36
China Avería 2N5401 del emisor del colector del voltaje del chip CI 150V del transistor de PNP fábrica

Avería 2N5401 del emisor del colector del voltaje del chip CI 150V del transistor de PNP

transistor bipolar PNP 150V 600mA 300MHz 625mW del chip CI del transistor 2N5401 (BJT) a través del agujero TO-92-3 Situación de la parte Obsoleto Tipo del transistor PNP Actual - colector (Ic) (máximo) 600mA ... Read More
2018-06-08 11:03:36
China N - Componente eléctrico de IC del canal, electrónica integrada IRFP250NPBF de Digitaces fábrica

N - Componente eléctrico de IC del canal, electrónica integrada IRFP250NPBF de Digitaces

Canal N 200V 30A (Tc) 214W (Tc) del chip CI del transistor de IRFP250NPBF a través del agujero TO-247AC Situación de la parte Activo Tipo del FET Canal N Tecnología MOSFET (óxido de metal) Drene al voltaje de ... Read More
2018-06-08 11:03:36
China Voltaje de saturación bajo de la transición de la frecuencia del chip CI 100MHz del transistor 2SB772 fábrica

Voltaje de saturación bajo de la transición de la frecuencia del chip CI 100MHz del transistor 2SB772

Transistor bipolar PNP 30V 3A 100MHz 12.5W del chip CI del transistor 2SB772 (BJT) a través del agujero SOT-32-3 Situación de la parte Obsoleto Tipo del transistor PNP Actual - colector (Ic) (máximo) 3A ... Read More
2018-06-08 11:03:36
China Los componentes del circuito integrado A1015 suben para telegrafiar/terminación de soldadura del estilo del alambre fábrica

Los componentes del circuito integrado A1015 suben para telegrafiar/terminación de soldadura del estilo del alambre

Receptáculo de la posición del conector 1 del chip CI SSL del transistor A1015, Empuje-en tablero del alambre a la soldadura del cable/del alambre Situación de la parte Activo Estilo Tablero al cable/al ... Read More
2018-06-08 11:03:36
China A través del chip CI AOT470 del transistor del agujero 5640pF entró al peso ligero de la capacitancia fábrica

A través del chip CI AOT470 del transistor del agujero 5640pF entró al peso ligero de la capacitancia

Canal N 75V 10A (TA), 100A (Tc) 2.1W (TA), 268W (Tc) del chip CI del transistor AOT470 a través del agujero TO-220 Situación de la parte Activo Tipo del FET Canal N Tecnología MOSFET (óxido de metal) Drene al ... Read More
2018-06-08 11:03:36
China Circuitos integrados de la electrónica del transistor de L7824CV, regulador de voltaje común del terminal de los chips CI tres fábrica

Circuitos integrados de la electrónica del transistor de L7824CV, regulador de voltaje común del terminal de los chips CI tres

Serie 1,5 de L7824CV TO-220 L7824 24 reguladores de voltaje fijos del terminal de la salida tres de V Especificaciones Montaje: A través del agujero Gama de funcionamiento de los temporeros: 0C a 125C Tipo de ... Read More
2018-06-08 11:03:36
China tipo máximo colector actual del transistor del chip CI PNP del transistor del poder 625mW de 2N3906 200mA fábrica

tipo máximo colector actual del transistor del chip CI PNP del transistor del poder 625mW de 2N3906 200mA

transistor bipolar PNP 40V 200mA 250MHz 625mW del chip CI del transistor 2N3906 (BJT) a través del agujero TO-92-3 Situación de la parte Activo Tipo del transistor PNP Actual - colector (Ic) (máximo) 200mA ... Read More
2018-06-08 11:03:36
China P - El tipo transistor del circuito integrado, equipo IRF9640PBF RoHS del FET del canal del circuito integrado aprobó fábrica

P - El tipo transistor del circuito integrado, equipo IRF9640PBF RoHS del FET del canal del circuito integrado aprobó

P-canal 200V 11A (Tc) 125W (Tc) del chip CI del transistor de IRF9640PBF a través del agujero TO-220AB Situación de la parte Activo Tipo del FET P-canal Tecnología MOSFET (óxido de metal) Drene al voltaje de ... Read More
2018-06-08 11:03:36
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