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Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

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Tipo del transistor del colector actual NPN del chip CI 100mA del transistor de BC547B

China Tipo del transistor del colector actual NPN del chip CI 100mA del transistor de BC547B proveedor

Ampliación de imagen :  Tipo del transistor del colector actual NPN del chip CI 100mA del transistor de BC547B

Datos del producto:

Lugar de origen: Original
Nombre de la marca: Original Manufacturer
Certificación: RoHS
Número de modelo: BC547B

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: embalaje original
Tiempo de entrega: En stock
Condiciones de pago: TT, Paypal, Western Union y así sucesivamente
Capacidad de la fuente: 80000
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Descripción detallada del producto
Situación de la parte: Activo Tipo del transistor: NPN
Actual - colector (Ic) (máximo): 100mA Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 45V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Actual - atajo del colector (máximo): -
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Poder - máximo: 625Mw

 

Transistor bipolar NPN 45V 100mA 300MHz 625mW del chip CI del transistor de BC547B (BJT) a través del agujero TO-92

 

Situación de la parte Activo  
Tipo del transistor NPN  
Actual - colector (Ic) (máximo) 100mA  
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 45V  
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA  
Actual - atajo del colector (máximo) -  
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V  
Poder - máximo 625mW  
Frecuencia - transición 300MHz  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo del montaje A través del agujero  
Paquete/caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (ventajas formadas)  
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92

 

 

 

Clasificación

 

Símbolo

A.C. 546 A.C. 547 A.C. 548

 

Unidad

Voltaje del emisor del colector VCEO 65 45 30 VDC
Voltaje bajo del colector VCBO 80 50 30 VDC
Voltaje bajo del emisor VEBO 6,0 VDC
Corriente de colector — continua IC 100 mAdc
La disipación total del dispositivo @ TA = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C Paladio

625

5,0

mW mW/°C
La disipación total del dispositivo @ TC = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C Paladio

1,5

12

Vatio mW/°C
Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento TJ, Tstg – 55 a +150 °C

 

Característico Símbolo Máximo Unidad
Resistencia termal, empalme a ambiente R JA 200 ° C/W
Resistencia termal, empalme al caso R JC 83,3 ° C/W

 

 

Contacto
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Persona de Contacto: Cary

Teléfono: +8613760106370

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