Tecnología de la electrónica de Shenzhen Goldensun limitada

 

¡Bueno en citar para la lista incluyendo IC, diodo, transistor, condensador, resistor de BOM y así sucesivamente!

Inicio
Productos
Sobre nosotros
Visita a la fábrica
Control de Calidad
Contacto
Solicitar una cotización
Inicio ProductosChip CI del transistor

Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Estoy en línea para chatear ahora

tipo máximo colector actual del transistor del chip CI PNP del transistor del poder 625mW de 2N3906 200mA

China tipo máximo colector actual del transistor del chip CI PNP del transistor del poder 625mW de 2N3906 200mA proveedor

Ampliación de imagen :  tipo máximo colector actual del transistor del chip CI PNP del transistor del poder 625mW de 2N3906 200mA

Datos del producto:

Lugar de origen: Original
Nombre de la marca: Original Manufacturer
Certificación: RoHS
Número de modelo: 2N3906

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: embalaje original
Tiempo de entrega: En stock
Condiciones de pago: TT, Paypal, Western Union y así sucesivamente
Capacidad de la fuente: 80000
Contact Now
Descripción detallada del producto
Situación de la parte: Activo Tipo del transistor: PNP
Actual - colector (Ic) (máximo): 200mA Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 40V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Actual - atajo del colector (máximo): -
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Poder - máximo: 625Mw

 
transistor bipolar PNP 40V 200mA 250MHz 625mW del chip CI del transistor 2N3906 (BJT) a través del agujero TO-92-3
 

Situación de la parte Activo  
Tipo del transistor PNP  
Actual - colector (Ic) (máximo) 200mA  
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 40V  
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA  
Actual - atajo del colector (máximo) -  
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V  
Poder - máximo 625mW  
Frecuencia - transición 250MHz  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo del montaje A través del agujero  
Paquete/caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3  
Número de parte bajo 2N3906

 

GRADOS MÁXIMOS
 

Clasificación Símbolo Valor Unidad
Voltaje del emisor del colector VCEO 40 VDC
Voltaje bajo del colector VCBO 40 VDC
Voltaje bajo del emisor VEBO 5,0 VDC
Corriente de colector — continua IC 200 mAdc
La disipación total del dispositivo @ TA = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C Paladio

625

5,0

mW mW/°C
Disipación de poder total @ TA = 60°C Paladio 250 mW
La disipación total del dispositivo @ TC = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C Paladio

1,5

12

Vatios de mW/°C
Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento TJ, Tstg – 55 a +150 °C

CARACTERÍSTICAS TERMALES (1)
 

Característico Símbolo Máximo Unidad
Resistencia termal, empalme a ambiente R JA 200 ° C/W
Resistencia termal, empalme al caso R JC 83,3 ° C/W

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Característico Símbolo Minuto Máximo Unidad

DE CARACTERÍSTICAS

 

Voltaje de avería del emisor del colector (2) (IC = 1,0 mAdc, IB = 0) (BR) CEO V 40 VDC
Voltaje bajo de avería del colector (IC = 10 ADC, IE = 0) V (BR) CBO 40 VDC
Voltaje bajo de avería del emisor (IE = 10 ADC, IC = 0) V (BR) EBO 5,0 VDC

Corriente baja del atajo

(VCE = 30 VDC, VEB = 3,0 VDC)

IBL 50 nAdc

Corriente de atajo de colector

(VCE = 30 VDC, VEB = 3,0 VDC)

ICEX 50 nAdc

1. Indica datos además de requisitos de JEDEC.

2. Prueba del pulso: Anchura de pulso 300 s; Ciclo de trabajo 2,0%.

Contacto
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Persona de Contacto: Cary

Teléfono: +8613760106370

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)